[发明专利]离子束角度处理控制的技术有效
| 申请号： | 200680019506.0 | 申请日： | 2006-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101189699A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 阿塔尔·古普塔;约瑟·C·欧尔森 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭露一种用于离子束角度处理控制的技术。在一特定例示性实施例中，技术可实现为一离子注入机系统中的离子束角度处理控制的方法。此方法可包括将一个或多个离子束导向一基板表面处。方法可还包括判定一个或多个离子束撞击基板表面的入射角的一平均扩散。此方法可更包括至少部分地基于入射角的平均扩散调整一个或多个离子束以产生离子束入射角的一所要扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 角度 处理 控制 技术 | ||
【主权项】：
1.一种用于离子注入机系统中的离子束角度处理控制的方法，包括：将一个或多个离子束导向基板表面处；判定一个或多个所述离子束撞击所述基板表面的入射角的平均扩散；以及至少部分地基于所述入射角的所述平均扩散调整一个或多个所述离子束，以产生离子束入射角的所要扩散。
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