[发明专利]制造覆晶于半导体组件封装的晶圆级无凸块式方法

摘要

本发明公开一种制造覆晶于半导体组件封装之晶圆级无凸块式方法，其包含下列步骤：将半导体晶粒的正面进行防焊漆涂布，并利用防焊漆涂布以提供若干个栅极接触窗与若干个源极接触窗，再由凹涡的标地区域以对导线架进行图案化，依据栅极接触窗与源极接触窗的位置，以在导线架的相对位置上制造出凹涡，再将导电性的环氧树脂印刷在导线架上的凹涡中，再把导线架与半导体硅晶圆晶粒一同进行烘烤固化，并且将硅芯片切割成块状以形成半导体组件封装结构。

主权项

1.一种制造覆晶于半导体组件封装的晶圆级无凸块式方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：涂布一防焊漆于一半导体晶粒的硅芯片的前侧表面上；利用涂布该防焊漆以形成若干栅极接触窗与若干源极接触窗；依据若干目标凹涡区域以将一导线架进行图案化；于该些目标凹涡区域上形成若干凹涡，且该目标凹涡区域相对于若干该栅极接触窗与若干该源极接触窗；将一导电环氧树脂印刷于该导线架上的该凹涡中；将该导线架与该半导体晶粒的硅芯片一同进行固化；及切割该半导体晶粒的硅芯片以形成半导体组件封装。