[发明专利]制造覆晶于半导体组件封装的晶圆级无凸块式方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体组件的制程方法，特别涉及一种制造覆晶于半导体组件封装的晶圆级无凸块式方法。 

背景技术

现有技术的覆晶封装方法为在基板上将一具有凸块的半导体晶粒连接至焊盘布局上，此凸块可由锡或金所构成，且其先形成在半导体晶粒的导电焊垫上，而后再利用加热与加压的方式使半导体晶粒与基板可由凸块以相互连接，而依据不同的需求，可将具有流动性的物质应用在介于半导体晶粒与基板之间的凹洞中，以改善半导体晶粒与基板之间连接的机械力。 

现有技术的覆晶技术已使用来制造封装于导线架上的低接脚(low pincount)半导体组件中，如美国专利第5,817,540号中所公开的方法，一般而言，其包括覆装一晶粒于一导线架上，并由凸块做为内连接，而硅晶圆片可为预先形成凸块并先经过切割，经由分离的晶粒，可直接将具有凸块的晶粒覆装于相对应的导线架上，利用锡回焊以连接晶粒与导线架，当锡凸块未被用以做为内连接时，可使用导电涂料或是导电填充环氧树脂以取代；在晶粒与导电架连接后，可使用一介电层或是一垫料材料以覆盖在晶粒与导电架之间的沟槽中，以避免短路并可提供晶粒与导电架之间的附着力。 

现有技术的覆晶技术的缺点由于必须对半导体晶粒施以凸块制程而提高了成本，再者，当半导体晶粒的接触焊垫由铝构成时，则必须再形成一凸块底层金属层以促进焊锡或是其它键结材料的使用，然而，凸块底层金属层的施用，则又将耗费额外的半导体封装制程成本。 

然而，在现今应用在半导体组件覆晶封装的晶圆级无凸块制程方法以可克服现有技术中的缺点，较好的晶圆级无凸块制程方法可在降低半导体组件覆晶封装的成本的同时，提供较佳的主机板级封装(board level packaging)的可靠度；此外，晶圆级无凸块制程方法可使进行主机板级封装时的导线架与印刷电路板之间，可具有较小的热膨胀错位，且提供一较大的连接面积。 

发明内容

本发明的主要目的，提出一种制造覆晶于半导体组件封装的晶圆级无凸块式方法，包括提供一具有凹涡结构的导线架，其具有源极与栅极凹涡，此具有凹涡结构的导线架可由导电环氧树脂以贴附于半导体组件，并且利用导电环氧树脂以同时提供电性与机械性的连接，而连接的方式可透过晶圆级的制程以实现，再将晶圆片切割成为独立的晶粒以供为主机板级封装的用，例如：表面安装(surface mounting)。 

本发明的另一目的，提出一种制造覆晶于半导体组件封装的晶圆级无凸块式方法，其包括数个对一半导体晶粒的晶圆片前侧表面进行防焊漆涂布的步骤，其先进行防焊漆涂布以形成若干个栅极接触窗与若干个源极接触窗，并利用目标凹涡区域以对一导电架进行图案化，且在导线架上相对应于栅极接触窗与源极接触窗的位置上，以形成凹涡，将导线架上的凹涡通过印刷方式以生成导电环氧树脂，并将导电架贴附在半导体晶粒的晶圆上、固化导线架与半导体晶粒晶圆，最终，切割半导体晶粒晶圆片而完成一半导体组件的封装。 

本发明的另一个目的，提出一种制造覆晶于半导体组件封装的晶圆级无凸块式方法，其包括在一半导体晶粒的晶圆片的前侧表面上制造出若干个栅极接触窗与若干个源极接触窗，并在导线架上相对应于若干栅极接触窗与若干源极接触窗的位置上形成凹涡，其中上述的栅极接触窗与源极接触窗连接在导线架与半导体晶粒晶圆片之间，最后，切割半导体晶粒晶圆片而完成一半导体组件的封装。 

为了使下文有关于本发明的描述更加容易明白，也为了使本发明对于现有技术的贡献更加容易了解，上述仅仅概括性地且相当广泛地提供了本发明的特征，以下将提供更多有关本发明的特征。 

有鉴于此，在进行实施方式的说明之前，应当了解本发明并不受限于 用以描述其应用的架构中，且，凡利用以下所述或是图式中的任意组件的重组与排列而得的应用，皆当视做落入于本发明的保护范围中。而除了本说明书中所提供的实施例外，本发明也可由其它各种不同的实施例加以实现，因此，本发明的措词、学术用语、摘要皆仅用来解释本发明，而非限定本发明的保护范围。 

因此，本领域的技术人员可透过本发明的公开而能了解本发明的内容并据以实施，再者，权利要求书应视为本发明的等效架构。 

附图说明

图1为本发明的半导体组件封装结构的截面剖视图； 

图2为本发明的具有凹涡的晶粒级导线架的俯视图； 

图3为本发明的具有凹涡的晶圆级导线架的俯视图； 

图4为本发明的覆晶于半导体组件封装制造的流程图； 

图5为图4的覆晶于半导体组件封装制造的示意图。