[发明专利]通过提供补强层以形成埋置于低K电介质中的含铜线的技术无效
| 申请号： | 200680018740.1 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101194356A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | P·许布勒;F·科申斯基;F·福伊斯特尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过在要以含铜的金属(copper－containing metal)填充的沟槽(104)的三个侧壁(1055)提供补强层(stiffening layer)(105)，可至少到特定程度补偿低k材料(102)的降低的热机械约束(confinement)，藉以降低电迁移效应并且进而增加先进半导体装置的寿命，该半导体装置具有包括低k介电材料(102)与铜基(copper－based)金属线的组合的金属化层。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 提供 补强层 形成 置于 电介质 中的 铜线 技术 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含下列步骤：在低k介电层102中形成开口104；修饰在该开口104的底部1046与侧壁1045的该低k介电层102的介电材料的表面区域105以提高该修饰表面区域的弹性模数；及利用含铜的金属填充该开口104以形成金属化层的互连线112。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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