[发明专利]用于使玻璃上的薄膜硅氢化的方法和装置无效
| 申请号： | 200680018652.1 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101185155A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 马克·约翰·基费斯;艾德里安·布鲁斯·特纳 | 申请（专利权）人： | CSG索拉尔有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 德国泰*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过使用原子氢源(26)使靶(24)如玻璃基底上的多晶硅膜氢化的方法和装置。使靶经受所述源的原子氢场的间歇暴露，直至使靶的至少一个区域经受氢场达预定的最小周期。通过它的原子氢场所建立的所述源的处理区域小于靶，并且在将靶移动进入到高温处理区(14)以后，将该靶在高温处理区之内平移至靶的间歇处理连续区域，直至整个靶被处理达预定的最小周期。在整个靶被处理以后，将靶冷却至预定的低温，同时仍间歇地使靶经受原子氢。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 玻璃 薄膜 氢化 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种使用原子氢源使靶氢化的方法，该方法包括通过以下方法处理靶：使靶的至少一个区域经受原子氢源的原子氢场的间歇暴露，直至使靶的至少一个区域经受原子氢场达预定的最小周期。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
