[发明专利]用于使玻璃上的薄膜硅氢化的方法和装置

权利要求书

1.一种使用原子氢源使靶氢化的方法，该方法包括通过以下方法处理靶：使靶的至少一个区域经受原子氢源的原子氢场的间歇暴露，直至使靶的至少一个区域经受原子氢场达预定的最小周期。

2.权利要求1的方法，其中，使整个所述靶同时经受原子氢源的原子氢场；并且所述源是脉冲持续时间在2秒至2分钟范围内的脉冲源；以及，在靶处于预定的处理温度范围内的同时，负载循环为约50％或更小。

3.权利要求1的方法，其中原子氢源的原子氢场建立了小于靶的处理区域，所述方法包括：

a)将待处理的所述靶移动到包含该处理区域的高温处理区中；

b)将所述靶在高温处理区中平移，同时通过间歇地使它们经受原子氢场的暴露来处理靶的连续区域，直至靶的全部被处理达预定的最短周期；

c)在所述靶的全部被处理达预定的最短周期以后，将所述靶从高温处理区中移出。

4.权利要求3的方法，其中将所述靶通过第一输入途径插入到处理区中，并且通过第二输出途径从该高温处理区中移出，由此在移出在前的靶的同时，可以将新靶装载到高温处理区中。

5.按照权利要求1至4中任一项所述的方法，该方法进一步包括：

a)将清洁靶的温度升至在预定处理温度范围内的温度；

b)通过这样处理所述靶：使所述靶的至少一个区域经受原子氢源的原子氢场的间歇暴露，直至所述靶的至少一个区域在处于预定处理温度范围内的温度经受原子氢场达预定的最短周期；

c)在处于预定处理温度范围内的温度，在使所述靶的至少一个区域经受原子氢场达预定的最短周期以后，快速冷却所述靶，同时仍使所述靶的至少一个区域间歇地暴露于原子氢场；和

d)当所述靶达到预定的低温限时，终止所述靶暴露于原子氢。

6.权利要求3、4或5的方法，其中所述靶具有大的平面区域，并且所述源包含多个离散定域强原子氢源，所述离散定域强原子氢源各自提供建立比靶小的各个处理区域的原子氢场，所述方法进一步包括：移动加热的靶穿过多个原子氢场中的一个或多个，由此在任何时候，都仅有所述靶的部分区域处于任一原子氢场中，并且连续移动所述靶，直至使靶的全部区域经受原子氢场达预定的最短周期。

7.权利要求3、4、5或6的方法，其中在移动所述靶进入到高温处理区之前，在加热区中将所述靶的温度升至在预定处理温度范围内的温度。

8.权利要求3、4、5、6或7的方法，其中所述加热区安置有一个或多个原子氢源，并且在所述靶的温度超过低于预定处理温度范围的预定温度以后，使所述靶经受一个或多个原子氢源的原子氢场。

9.权利要求3、4、5、6、7或8的方法，其中安置有处理室，所述处理室含有加热区、高温处理区和冷却区。

10.权利要求9的方法，其中在所述处理室中安置有入口装载锁，并且将待处理的靶装载进入到所述装载锁中，以便随后移动进入到所述加热室中。

11.权利要求9或10的方法，其中在高温处理区中完成所述高温处理以后，将所述靶从高温处理区传递至所述冷却区。

12.权利要求9、10或11的方法，其中在所述冷却区中安置有一个或多个原子氢源，以产生所述靶在冷却期间所经受的原子氢场。

13.权利要求12的方法，其中所述冷却区的一个或多个原子氢源在比高温处理区中的原子氢源的功率低的功率下工作。

14.权利要求9、10、11、12或13的方法，其中所述冷却区安置有冷却装置，以加速所述靶的温度降低至所述预定低温限。

15.权利要求14的方法，其中所述低温限通常在300-350℃的范围内。

16.权利要求9、10、11、12、13、14或15的方法，其中在所述处理室中安置有出口装载锁，并且将靶从所述冷却区移动进入到所述出口装载锁中，以便随后将所述靶从所述处理室移出。