[发明专利]半导体激光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200680018439.0 | 申请日： | 2006-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101185211A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 村泽智;高山彻;中山久志;藤本康弘;木户口勋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/227;H01S5/343;G11B7/125 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。在将红外线激光部(100)和红色激光部(130)装载在同一n型GaAs基板(101)上的单片两波长激光装置中，红外线激光部(100)的p型第一覆盖层(105)和红色激光部(130)的p型第一覆盖层(135)由同一材料构成且彼此具有不同的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，在同一第一导电型半导体基板上包括用第一波长发光的第一双异质结构、和用与上述第一波长不同的第二波长发光的第二双异质结构，其特征在于：上述第一双异质结构具有第一之第一导电型覆盖层、形成在上述第一之第一导电型覆盖层上的第一活性层、和形成在上述第一活性层上的第一之第二导电型覆盖层；上述第二双异质结构具有第二之第一导电型覆盖层、形成在上述第二之第一导电型覆盖层上的第二活性层、和形成在上述第二活性层上的第二之第二导电型覆盖层；上述第一之第二导电型覆盖层和上述第二之第二导电型覆盖层由同一材料构成且彼此具有不同的杂质浓度。
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