[发明专利]半导体激光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光装置，在同一第一导电型半导体基板上包括用第一波长发光的第一双异质结构、和用与上述第一波长不同的第二波长发光的第二双异质结构，其特征在于：

上述第一双异质结构具有第一之第一导电型覆盖层、形成在上述第一之第一导电型覆盖层上的第一活性层、和形成在上述第一活性层上的第一之第二导电型覆盖层；

上述第二双异质结构具有第二之第一导电型覆盖层、形成在上述第二之第一导电型覆盖层上的第二活性层、和形成在上述第二活性层上的第二之第二导电型覆盖层；

上述第一之第二导电型覆盖层和上述第二之第二导电型覆盖层由同一材料构成且彼此具有不同的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述第一之第一导电型覆盖层、上述第一之第二导电型覆盖层、上述第二之第一导电型覆盖层及上述第二之第二导电型覆盖层分别含有AlGaInP。

3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述第一活性层含有GaAs，

上述第二活性层含有GaInP。

4.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于：

当使上述第一之第二导电型覆盖层的杂质浓度为Cp1，使上述第二之第二导电型覆盖层的杂质浓度为Cp2时，具有Cp1＜Cp2的关系。

5.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

当使上述第一之第二导电型覆盖层的杂质浓度为Cp1时，具有Cp1＜7×10¹⁷cm^-3的关系。

6.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

当使上述第二之第二导电型覆盖层的杂质浓度为Cp2时，具有1×10¹⁷cm^-3＜Cp2＜8×10¹⁷cm^-3的关系。

7.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于：

当使上述第一之第二导电型覆盖层的杂质浓度为Cp1，使上述第二之第二导电型覆盖层的杂质浓度为Cp2时，具有1×10¹⁷cm^-3＜Cp1＜Cp2＜7×10¹⁷cm^-3的关系。

8.根据权利要求1～7中的任意一项所述的半导激光装置，其特征在于：

在上述第一之第二导电型覆盖层形成有第一隆起部，

在上述第二之第二导电型覆盖层形成有第二隆起部。

9.根据权利要求8所述的半导体激光装置，其特征在于：

在上述第一隆起部的两侧壁及上述第二隆起部的两侧壁分别形成有电流约束层。

10.一种半导体激光装置的制造方法，是在第一导电型半导体基板上集成有用不同波长发光的多个发光元件的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

该半导体激光装置的制造方法，包括：在上述第一导电型半导体基板上的上述多个发光元件各自的形成区域中依次形成第一导电型覆盖层、活性层及第二导电型覆盖层的工序，以及

将上述多个发光元件各自的上述第二导电型覆盖层图案化为台形，来形成隆起部的工序；

上述多个发光元件各自的上述第二导电型覆盖层由同一材料构成且彼此具有不同的杂质浓度。