[发明专利]氮化物半导体发光元件

摘要

本发明提供一种通过使用SiC基板，作为垂直型的发光元件，同时能够防止由与基板和氮化物半导体层的晶格不匹配相伴的氮化物半导体层的膜质降低所引起的发光输出降低，并且也能够有效地利用行进到基板侧的光的氮化物半导体发光元件。在SiC基板(1)上，直接设置有折射率相互不同的低折射率层(21)与高折射率层(22)交替叠层而形成的光反射层(2)，在该光反射层(2)上，设置有以至少具有发光层形成部(3)的方式叠层氮化物半导体层而形成的半导体叠层部(5)。分别在半导体叠层部(5)的上面侧设置有上部电极(7)、在SiC基板(1)的背面上设置有下部电极(8)。

主权项

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：SiC基板；直接设置在该SiC基板上，折射率相互不同的低折射率层和高折射率层交替叠层而形成的光反射层；设置在该光反射层上，以至少具有发光层形成部的方式叠层氮化物半导体层而形成的半导体叠层部；和在该半导体叠层部的上面侧和所述SiC基板的背面上分别设置的电极。