[发明专利]氮化物半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：

SiC基板；直接设置在该SiC基板上，折射率相互不同的低折射率层和高折射率层交替叠层而形成的光反射层；设置在该光反射层上，以至少具有发光层形成部的方式叠层氮化物半导体层而形成的半导体叠层部；和在该半导体叠层部的上面侧和所述SiC基板的背面上分别设置的电极。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

所述光反射层由Al_xGa_1-xN(0＜x＜1)与Al_yGa_1-yN(0≤y＜1，y＜x)的叠层结构形成。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

所述光反射层的低折射率层和高折射率层中的至少一方进一步形成为折射率不同的调整层与缓和层的超晶格结构。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

所述调整层由In_vGa_1-vN(0≤v＜1)构成，所述缓和层由Al_wGa_1-wN(0＜w＜1)构成。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

在所述发光层形成部上，形成有由低折射率层与高折射率层的叠层结构形成的第二光反射层。

6.根据权利要求5所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

形成为所述发光层形成部成为垂直方向的共振器、并且从所述第二光反射层的一部分取出光，成为面发光激光器。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

所述发光层形成部由Al_aGa_bIn_1-a-bN(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)构成，并且形成为利用n型层和p型层使活性层成为夹层结构的双异质结构。