[发明专利]高性能CdxZn1－xTe X射线和γ射线辐射检测器及其制造方法

摘要

本发明涉及辐射检测器，其包括由第II至第VI族化合物形成的晶体衬底和覆盖所述衬底的一个表面的相当大一部分的第一电极。设置位于所述衬底的、与所述第一电极相对的表面上的间隔开的多个第二分段电极。在所述衬底的、与所述第一电极相对的表面上的多个第二电极之间设置钝化层。钝化层还可定位于衬底和第一电极之间或衬底和每个第二电极之间，或者定位于衬底和第一电极之间以及衬底和每个第二电极之间。本发明还涉及形成该辐射检测器的方法。

主权项

1.一种辐射检测器，包括：晶体衬底，其由第II至第VI族化合物形成；第一电极，覆盖所述衬底的一个表面的大部分；间隔开的多个第二电极，其位于所述衬底的、与所述第一电极相对的表面上；以及钝化层，其位于所述衬底的、与所述第一电极相对的表面上的多个第二电极之间。