[发明专利]高性能CdxZn1－xTe X射线和γ射线辐射检测器及其制造方法

权利要求书

1.一种辐射检测器，包括：

晶体衬底，其由第II至第VI族化合物形成；

第一电极，覆盖所述衬底的一个表面的大部分；

间隔开的多个第二电极，其位于所述衬底的、与所述第一电极相对的表面上；以及

钝化层，其位于所述衬底的、与所述第一电极相对的表面上的多个第二电极之间。

2.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述钝化层为具有使隧穿电流能够通过所述钝化层流动的厚度的氧化物膜。

3.如权利要求2所述的辐射检测器，其进一步包括在所述衬底和每个所述第二电极之间的所述钝化层。

4.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述钝化层包括：

第一绝缘膜，其由第II至第VI族化合物的天然氧化物形成；以及

第二绝缘膜，覆盖所述第一绝缘膜。

5.如权利要求4所述的辐射检测器，其中所述第二绝缘膜为氮化物膜、氧氮化物膜和氧化物膜中的一种。

6.如权利要求1所述的辐射检测器，其进一步包括覆盖所述衬底的侧面的至少一部分的钝化层。

7.如权利要求6所述的辐射检测器，其进一步包括位于覆盖所述衬底的所述侧面的至少一部分的所述钝化层之上的侧电极。

8.如权利要求1所述的辐射检测器，其进一步包括在所述第一电极和所述衬底的所述一个表面之间的钝化层。

9.一种形成辐射检测器的方法，包括：

(a)在由第II至第VI族化合物形成的晶体衬底上形成钝化层；

(b)在所述衬底的第一表面上的所述钝化层中形成孔的阵列；

(c)在每个所述孔中并在所述衬底的第一表面上的所述钝化层上沉积导电材料；并且

(d)选择性地去除在所述衬底的第一表面上的所述钝化层上沉积的导电材料，从而使导电材料保留在所述钝化层的每个孔内，并且所述钝化层的每个孔内的导电材料与所述衬底的第一表面上的所述钝化层的每个其他孔内的导电材料间隔开。

10.如权利要求9所述的方法，其中沉积在所述每个孔内的导电材料与所述衬底的第一表面和所述衬底的第一表面上的薄氧化层中的至少一个相接触。

11.如权利要求9所述的方法，其进一步包括：

从所述衬底的、与所述第一表面相对的第二表面上除去所述钝化层的至少一部分，从而使所述衬底的第二表面的至少一部分暴露出来；以及

在所述衬底的第二表面的暴露出的部分上沉积导电材料。

12.如权利要求9所述的方法，其进一步包括在所述衬底的侧面上的钝化层上沉积导电材料。

13.如权利要求9所述的方法，其中：

所述钝化层包括由第II至第VI族化合物的天然氧化物形成的第一绝缘膜和覆盖所述第一绝缘膜的第二绝缘膜；

步骤(b)包括在所述第二绝缘膜内形成孔的阵列；并且

步骤(c)包括在每个所述孔内的所述第一绝缘膜暴露出的表面上沉积导电材料。

14.如权利要求13所述的方法，其进一步包括：

从所述衬底的、与所述第一表面相对的第二表面上除去所述第二绝缘膜的至少一部分，从而使所述衬底的第二表面上的所述第一绝缘膜的至少一部分表面暴露出来；并且

在所述衬底的第二表面上的所述第一绝缘膜暴露出的表面上沉积导电材料。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述第一绝缘膜的厚度为250，期望为100，并且更期望为25。

16.如权利要求11所述的方法，其进一步包括在所述衬底的所述第二表面暴露出的部分上沉积导电材料之前，先对其进行原子氢蚀刻。

17.如权利要求9所述的方法，其进一步包括在步骤(c)之前，先对所述钝化层的每个孔内的所述衬底的暴露的第一表面进行原子氢蚀刻。