[发明专利]用于半导体器件的消反射涂层及其方法有效
| 申请号： | 200680016740.8 | 申请日： | 2006-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101176026A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | P·G·苏达卡;R·L·亚当斯;J·M·纳得瑞其;S·J·雅各布斯;L·A·威塞斯凯;L·M·威尔斯;W·D·卡特;J·C·弗雷德里克 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B26/00 | 分类号： | G02B26/00;G02B26/08;G02F1/29;G02F1/03;G02F1/07;G02F1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明的一个实施例，半导体器件(200)包括设置在半导体器件的衬底(226)的上表面上的第一介电材料层(208)和设置在介电材料的上表面上的第一非导电金属层(206)。所述第一介电材料层和所述第一非导电金属层作为由所述第一非导电金属层接收的电磁辐射的光阱。在具体实施例中，半导体器件可进一步包括设置在第一非导电金属层的上表面上的第二介电材料层和设置在所述第二介电材料层的上表面上的第二非导电金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 反射 涂层 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一介电材料层，其设置在半导体器件的衬底的上表面上；第一非导电金属层，其设置在所述介电材料的上表面上；且其中所述第一介电材料层和所述第一非导电金属层作为入射到所述第一非导电金属层上的电磁辐射的光阱。
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