[发明专利]用于半导体器件的消反射涂层及其方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一介电材料层，其设置在半导体器件的衬底的上表面上；

第一非导电金属层，其设置在所述介电材料的上表面上；且

其中所述第一介电材料层和所述第一非导电金属层作为入射到所述第一非导电金属层上的电磁辐射的光阱。

2.根据权利要求1所述的器件，其处于具有低反射率衬底的数字微镜器件的形式，进一步包括在衬底上方形成孔的第一和第二微镜；

其中所述第一介电材料层包括氧化物层，其设置在所述衬底的上表面上；

其中所述第一非导电金属层包括非导电铝层，其设置在所述氧化物的上表面上；且

其中所述氧化物层和所述非导电铝层作为由所述非导电金属层通过所述孔接收的电磁辐射的光阱。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述氧化物层具有约150埃到约1000埃的厚度；且其中所述铝层具有约5埃到约120埃的厚度。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一非导电金属层的厚度小于金属薄膜的逾渗阈值。

5.根据权利要求1-4所述的器件，进一步包括：

第二介电材料层，其设置在所述第一非导电金属层的上表面上；和

第二非导电金属层，其设置在所述第二介电材料层的上表面上。

6.根据权利要求5所述的器件，其中所述第二介电材料层具有约150埃到约1000埃的厚度；而第二非导电金属层具有约5埃到约120埃的厚度。

7.一种减少半导体器件中的杂散辐射的方法，包括：

允许电磁辐射通过设置在第一介电材料层的上表面上的第一非导电金属层，所述第一介电材料层设置在半导体器件的衬底的上表面上；

允许所述电磁辐射通过所述第一介电材料层；

允许所述电磁辐射反射离开所述衬底的所述上表面；以及

至少部分减少被允许返回穿出所述第一非导电金属层的所述电磁辐射的量。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述半导体器件包括数字微镜器件；其中所述介电材料包括氧化物；其中所述金属包括铝或氧化铝；并且所述方法进一步包括允许所述电磁辐射通过由位于所述半导体器件的所述衬底上方的第一微镜和第二微镜所形成的孔。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一介电材料层具有约150埃到约1000埃的厚度；且其中所述第一非导电金属层具有约5埃到约120埃的厚度。

10.根据权利要求7-9中任一项所述的方法，其中所述半导体器件进一步包括位于所述第一非导电金属层的上表面上的第二介电材料层和位于所述第二介电材料层的上表面上的第二非导电金属层；并且所述方法进一步包括：

允许所述电磁辐射通过所述第二非导电金属层；

允许所述电磁辐射通过所述第二介电材料层；以及

至少部分减少被允许返回穿出所述第二非导电金属层的所述电磁辐射的量。

11.根据权利要求19所述的方法，其中所述第二介电材料层具有约150埃到约1000埃的厚度；以及

所述第二非导电金属层具有约5埃到约120埃的厚度。