[发明专利]形成高分辨率图形的方法以及具有由该方法形成的预图形的基板有效
| 申请号： | 200680016207.1 | 申请日： | 2006-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101176192A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 申东仑;金台洙 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/32 | 分类号： | H01L21/32 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱梅;徐志明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成图形的方法，其包括如下步骤：(a)提供具有部分或全部形成于基板上且由第一材料制成的牺牲层的基板；(b)通过使用第一方式在牺牲层上形成不含第一材料且具有第一分辨率或更低线宽的图形沟纹；(c)通过使用第二方式用第二材料填充所述图形沟纹；及(d)通过照射或加热除去存在于残留的牺牲层中的第一材料，其中，第一材料的阈通量密度小于第二材料的阈通量密度，在步骤(d)中以在第一材料的阈通量密度至第二材料的阈通量密度范围内的剂量除去第一材料，并且由第二材料在所述基板上形成所述图形。本发明还公开了具有由所述方法形成的预图形的基板。所述形成图形的方法提供了高分辨率的图形，并且该方法很少或不浪费第二材料，从而降低了生产成本。该方法包括将例如激光聚焦能量束的具有高分辨率的第一方式与例如喷墨的具有低分辨率的第二方式结合使用，并提供具有高加工效率的高分辨率的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 高分辨率 图形 方法 以及 具有 | ||
【主权项】：
1.一种形成图形的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供具有部分或全部形成于基板上且由第一材料制成的牺牲层的基板；(b)通过使用第一方式在牺牲层上形成不含第一材料且具有第一分辨率或更低线宽的图形沟纹；(c)通过使用第二方式用第二材料填充所述图形沟纹；及(d)通过照射或加热除去存在于残留的牺牲层中的第一材料，其中，第一材料的阈通量密度小于第二材料的阈通量密度，在步骤(d)中以在第一材料的阈通量密度至第二材料的阈通量密度范围内的剂量除去第一材料，并且由第二材料在所述基板上形成所述图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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