[发明专利]半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680011218.0 | 申请日： | 2006-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101156253A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 高野刚志;城市隆秀;冈川广明 | 申请（专利权）人： | 三菱电线工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/285;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种包含n型氮化镓基化合物半导体和与所述半导体进行欧姆接触的新型电极的半导体元件。本发明的半导体元件具有n型氮化镓基化合物半导体和形成与所述半导体的欧姆接触的电极，其中所述电极具有将要与所述半导体接触的TiW合金层。根据优选实施例，上述电极也可以用作接触电极。根据优选实施例，上述电极具有优异的热阻。此外，还提出了所述半导体元件的生产方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括n型氮化镓基化合物半导体的半导体元件，以及与所述半导体欧姆接触的电极，其中所述电极具有与所述半导体接触的TiW合金层。
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