[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括n型氮化镓基化合物半导体的半导体元件，以及与所述半导体欧姆接触的电极，其中所述电极具有与所述半导体接触的TiW合金层。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述TiW合金层具有小于等于70wt％的Ti浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其中所述TiW合金层具有小于等于40wt％的Ti浓度。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其中所述TiW合金层具有小于等于8wt％的Ti浓度。

5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体元件，其中所述TiW合金层具有大于等于4wt％的Ti浓度。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其中沿TiW合金层的厚度方向，所述TiW合金层的W-Ti成分比实质上恒定。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其中通过使用Ti含量小于等于90wt％的Ti-W靶进行溅射来形成TiW合金层。

8.根据权利要求7所述的半导体元件，其中通过使用Ti含量为10wt％的Ti-W靶进行溅射来形成TiW合金层。

9.根据权利要求4或8所述的半导体元件，其中所述电极是热处理过的。

10.根据权利要求1至9任一项所述的半导体元件，其中所述电极具有在TiW合金层上层压的金属层。

11.根据权利要求10所述的半导体元件，其中所述金属层包括Au层。

12.根据权利要求11所述的半导体元件，其中所述层包括在上述TiW合金层上直接层压的Au层。

13.根据权利要求11所述的半导体元件，其中所述金属层由Au的单层构成，或者由具有Au层作为顶层的层压叠片构成。

14.根据权利要求11所述的半导体元件，其中所述金属层只包括具有与Au相同熔点或比Au更高熔点的金属。

15.根据权利要求10所述的半导体元件，其中所述金属层不含Rh。

16.根据权利要求1至15任一项所述的半导体元件，其中电极表面具有小于等于0.02微米的算术平均粗糙度Ra。

17.一种用于生产半导体元件的方法，所述方法包括：形成TiW合金层作为n型氮化镓基化合物半导体的表面上的电极的一部分的步骤。

18.根据权利要求17所述的生产方法，其中通过使用Ti-W靶进行溅射来形成TiW合金层。

19.根据权利要求18所述的生产方法，其中所述TiW合金层具有小于等于70wt％的Ti浓度。

20.根据权利要求18所述的生产方法，其中所述方法还包括：对TiW合金层进行热处理的步骤。