[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200680010996.8 申请日: 2006-01-26
公开(公告)号: CN101180641A 公开(公告)日: 2008-05-14
发明(设计)人: 野田由美子;荒井康行;渡边康子;守屋芳隆;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077;G06K19/07;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/146
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴娟;韦欣华
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供适于新用法的器件,通过使用半导体器件(如根据性能的RFID标签)而在不接触的条件下发送和接收数据,以减少使用者的负担,并提高便利性。所提供的半导体器件具有包含晶体管的运算处理电路、用作天线的导电层、具有检测物理量和化学量方法的检测单元以及存储被检测单元检测到的数据的存储单元,以及用保护层来覆盖运算处理电路、导电层、检测单元和存储单元。另外,在不接触的条件下通过为人类、动物和植物等提供这样的半导体器件,可监视和控制不同的信息。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:至少具有第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的元件,各晶体管在衬底之上提供;在所述元件之上提供的检测元件,与第一晶体管电连接;在所述元件之上提供的存储元件,与第二晶体管电连接;以及在所述元件之上提供的第一导电层,与第三晶体管电连接,其中,所述衬底、所述元件、所述检测元件、所述存储元件以及所述第一导电层被保护层覆盖。
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