[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

至少具有第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的元件，各晶体管在衬底之上提供；

在所述元件之上提供的检测元件，与第一晶体管电连接；

在所述元件之上提供的存储元件，与第二晶体管电连接；以及

在所述元件之上提供的第一导电层，与第三晶体管电连接，

其中，所述衬底、所述元件、所述检测元件、所述存储元件以及所述第一导电层被保护层覆盖。

2.一种半导体器件，包括：

至少具有第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的元件，各晶体管在衬底之上提供；

在所述元件之上提供的检测元件，与第一晶体管电连接；

在所述元件之上提供的存储元件，与第二晶体管电连接；以及

在所述元件之上提供的第一导电层，与第三晶体管电连接，

其中，所述存储元件包括：

在所述元件上提供的第二导电层；

邻近所述第二导电层提供的第三导电层；以及

在所述第二导电层与所述第三导电层之间提供的有机化合物层，以及

其中，所述衬底、所述元件、所述检测元件、所述存储元件以及所述第一导电层被保护层覆盖。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一导电层和所述第二导电层在同一层中提供。

4.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述检测元件包括：

在所述元件上提供的第一层；

邻近所述第一层提供的第二层；以及

在所述第一层和所述第二层之间提供的第三层，

其中，所述第一层是P型半导体层，

所述第二层是N型半导体层，以及

所述第三层是I型半导体层。

5.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述检测元件包括：

在所述元件上提供的第一层；

邻近所述第一层提供的第二层；以及

在所述第一层和所述第二层之间提供的第三层，

其中，所述第一层是第四导电层，

所述第二层是半导体层，以及

所述第三层是化合物半导体层。

6.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述检测元件包括：

在所述元件上提供的第一层；

邻近所述第一层提供的第二层；以及

在所述第一层和所述第二层之间提供的第三层，

其中，所述第一层是第四导电层，

所述第二层是第五导电层，以及

所述第三层是压电层。

7.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述检测元件包括：

在所述元件上提供的第一层；

邻近所述第一层提供的第二层；以及

在所述第一层和所述第二层之间提供的第三层，

其中，所述第一层是第四导电层，

所述第二层是第五导电层，以及

所述第三层是吸湿层。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第四导电层和所述第五导电层在同一层中提供。

9.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述检测元件包括：

在所述元件上提供的第一层；

邻近所述第一层提供的第二层；以及

在所述第一层和所述第二层之间提供的第三层，

其中，所述第一层是第四导电层，

所述第二层是第五导电层，以及

所述第三层是有机化合物层。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第四导电层和所述第五导电层在同一层中提供。

11.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述检测元件包括：

在所述元件上提供的第一层；

邻近所述第一层提供的第二层；以及

其中，所述第一层是第四导电层，

所述第二层是响应层。