[发明专利]半导体激光器件有效

专利信息
申请号: 200680010188.1 申请日: 2006-03-30
公开(公告)号: CN101151776A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 藤本毅 申请(专利权)人: 奥普拓能量株式会社
主分类号: H01S5/24 分类号: H01S5/24;H01S5/323
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供一种高输出增益波导型半导体激光器件,通过抑制(100)DLD生成,而具有高可靠性。半导体激光器件具备增益波导型的半导体激光构造部,该半导体激光构造部形成在形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽的半导体基板上,电流注入条设置为被该沟槽夹着。优选半导体激光器件的特征为,构成所述半导体激光器件的活性层的量子阱由GaAs形成。
搜索关键词: 半导体激光器
【主权项】:
1.一种半导体激光器件,其特征在于,具有:半导体基板,形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽;及增益波导型的半导体激光构造部,在上述半导体基板上形成,具有电流注入区域;上述电流注入区域设置在被上述2个沟槽夹着的位置。
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