[发明专利]半导体激光器件有效
申请号: | 200680010188.1 | 申请日: | 2006-03-30 |
公开(公告)号: | CN101151776A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 藤本毅 | 申请(专利权)人: | 奥普拓能量株式会社 |
主分类号: | H01S5/24 | 分类号: | H01S5/24;H01S5/323 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种高输出增益波导型半导体激光器件,通过抑制(100)DLD生成,而具有高可靠性。半导体激光器件具备增益波导型的半导体激光构造部,该半导体激光构造部形成在形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽的半导体基板上,电流注入条设置为被该沟槽夹着。优选半导体激光器件的特征为,构成所述半导体激光器件的活性层的量子阱由GaAs形成。 | ||
搜索关键词: | 半导体激光器 | ||
【主权项】:
1.一种半导体激光器件,其特征在于,具有:半导体基板,形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽;及增益波导型的半导体激光构造部,在上述半导体基板上形成,具有电流注入区域;上述电流注入区域设置在被上述2个沟槽夹着的位置。
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