[发明专利]半导体激光器件有效
| 申请号： | 200680010188.1 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101151776A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 藤本毅 | 申请（专利权）人： | 奥普拓能量株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/24 | 分类号： | H01S5/24;H01S5/323 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种高输出增益波导型半导体激光器件，通过抑制(100)DLD生成，而具有高可靠性。半导体激光器件具备增益波导型的半导体激光构造部，该半导体激光构造部形成在形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽的半导体基板上，电流注入条设置为被该沟槽夹着。优选半导体激光器件的特征为，构成所述半导体激光器件的活性层的量子阱由GaAs形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，其特征在于，具有：半导体基板，形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽；及增益波导型的半导体激光构造部，在上述半导体基板上形成，具有电流注入区域；上述电流注入区域设置在被上述2个沟槽夹着的位置。
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