[发明专利]半导体激光器件

说明书

技术领域

本发明涉及持久性优异的增益波导型高输出半导体激光器件。

背景技术

近年来，具有宽的电流注入条(strip)宽度的宽面(broad-area)半导体激光器件，正作为固体激光器、光纤维激光器及双核的掺铒光放大器等激励光源，或作为金属或树脂的直接加工光源，而被广泛地使用。这样随着应用领域扩大，对于宽面半导体激光器件不仅要求高输出还要求高的可靠性(日本特开2001-308445)。作为宽面半导体激光器件之一，例举增益波导型半导体激光器件。

图4是表示以往的增益波导型半导体激光器件1的构成的剖面图。半导体激光器件1在平面的半导体基板2的厚度方向Z的一个表面2a上，形成了第1包覆层3、第1光波导层4、活性层5、第2光波导层6、第2包覆层7、电流限制层8以及接触层9。在振荡方向X以及与厚度方向Z相垂直的横方向Y的中央部，形成电流注入区域(电流注入条)11。

已知损害宽面半导体激光器件可靠性的原因之一，是<100>DLD(Dark Line Defect：暗线缺陷)。而且，<100>DLD以制造半导体激光器件时因划线(スクラィブ)等引起的缺陷为始点生长。在半导体激光器件中一注入电流，就在激光振荡阈值以下放射出自然放射光。在图4中所示的以往的增益波导型半导体激光器件1中，在横方向没有光的封闭结构。由此，在电流注入区域11产生的自然放射光，在作为激光构造的一部分的第1及第2光波导层4、6中传播的同时，到达半导体激光器件1的横方向Y的器件端部12附近，并被活性层5吸收。由此产生的载流子在划线等引起的器件端部12的缺陷部位再复合。结晶缺陷因此时的再复合能量而生长，转移向结晶方位<100>推进从而形成<100>DLD。

图5A及图5B是观测在图4中所示的以往半导体激光器件1中，以由划线引起的缺陷为始点生长的<100>DLD的观测图。图5A是半导体激光器件1的外观照片，图5B是用高灵敏度CCD(Charge CoupledDevice)拍摄图5A的半导体激光器件1的电致发光的图像。在长时间驱动图4中所示的半导体激光器件1等增益波导型半导体激光器件时，因横方向的器件端部12存在的缺陷，DLD从该器件端部12的端面在与振荡方向X以及横方向Y相平行的假想平面内，朝45°方向、即结晶方位<100>生长。该<100>DLD在到达电流注入区域11后急剧地生长，导致使激光振荡停止的严重问题。

发明内容

本发明的目的为提供一种高输出的增益波导型半导体激光器件，通过抑制<100>DLD生长而具有高可靠性。

本发明的半导体激光器件具备：形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽的半导体基板；及在该半导体基板上形成，且具有电流注入区域的增益波导型的半导体激光构造部；电流注入区域设置在被该2个沟槽夹着的位置。

而且，在本发明中，所述半导体激光器件的活性层优选由GaAs量子阱形成。

附图说明

本发明的目的、特点以及优点根据以下的详细说明及图面变得更为明确。

图1是表示作为本发明的一种实施方式的半导体激光器件的构成的剖面图。

图2是表示实施例的半导体激光器件的连续通电试验(寿命试验)结果的曲线图。

图3是表示作为对比例的以往的半导体激光器件的连续通电试验结果的曲线图。

图4是表示作为对比例的以往的增益波导型半导体激光器件的构成的剖面图。

图5是发生了<100>DLD的半导体激光器件的观察图。

具体实施方式

以下，参考附图详细地说明本发明的优选实施例。