[发明专利]氧化锌系化合物半导体发光元件无效
申请号: | 200680009529.3 | 申请日: | 2006-03-23 |
公开(公告)号: | CN101147269A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 中原健 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01S5/327 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种在发出400nm以下的短波长的光时,使叠层的半导体层的结晶性提高从而使内部量子效率提高,并且通过使发出的光尽可能不被基板等吸收而将其取出到外部,使外部量子效率也提高,从而能够综合地提高发光效率的结构的半导体发光元件。当在基板(1)上以形成发出400nm以下波长的光的发光层形成部(7)的方式叠层ZnO系化合物半导体层(2~6)时,使用由MgxZn1-xO(0<x≤0.5)构成的基板作为基板(1)。 | ||
搜索关键词: | 氧化锌 化合物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】:
1.一种氧化锌系化合物半导体发光元件,其为在基板上以形成发出400nm以下波长的光的发光层形成部的方式叠层ZnO系化合物半导体层的氧化锌系化合物半导体发光元件,其特征在于:使用由MgxZn1-xO(0<x≤0.5)构成的基板作为所述基板。
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