[发明专利]具有应变沟道区的非平面MOS结构有效
| 申请号： | 200680008711.7 | 申请日： | 2006-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101142688A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | B·多伊尔;S·达塔;B·－Y·金;R·曹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周铁;韦欣华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 实施方案是包括应变沟道区的非平面MOS晶体管结构。非平面MOS晶体管结构，尤其是NMOS三栅晶体管，和应变沟道优点的结合，使得与具有非应变沟道的非平面MOS结构或者包含应变沟道的平面MOS结构相比，就给定栅长度宽度而言，改善了晶体管驱动电流、开关速度，并减少了漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应变 沟道 平面 mos 结构 | ||
【主权项】：
1.一种非平面晶体管，包括：在衬底上形成的并且和所述衬底在电学上隔离的硅锗本体；在所述硅锗本体上形成的应变硅；在所述应变硅上形成的栅电介质；在所述栅电介质上形成的栅极；和在所述应变硅中形成的源极和漏极。
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