[发明专利]用于偏置相变存储阵列以进行可靠写入的结构和方法有效
| 申请号： | 200680006301.9 | 申请日： | 2006-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101189679A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 罗伊·E·朔伊尔莱因 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过将所有未选择的存储单元保持在反向偏置的状态中来将具有包括二极管和相变材料的存储单元的存储阵列可靠地编程。因此，泄漏较低，且高度地确保不干扰未选择的存储单元。为了避免在依序写入期间干扰未选择的存储单元，在选择新位线和字线之前使先前所选择的字线和位线变至其未选择的电压。经改进的电流镜结构控制所述相变材料的状态切换。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 偏置 相变 存储 阵列 进行 可靠 写入 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在包括存储单元阵列的集成电路中用于在不干扰未选择的存储单元的同时写入至少一个所选择的存储单元的方法，所述存储单元的每一者包括二极管和可通过热激活可逆地从一种状态切换成另一状态的存储器材料，且每一者串联连接在字线与位线之间，所述方法包括：控制未连接至所述至少一个所选择的存储单元的字线和位线上的电压；控制连接至所述至少一个所选择的存储单元的字线和位线中一者上的电压；及控制连接至所述至少一个所选择的存储单元的所述字线和位线中另一者上的电流，以使所述电流产生所述热激活。
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