[发明专利]用于偏置相变存储阵列以进行可靠写入的结构和方法

权利要求书

1.一种在包括存储单元阵列的集成电路中用于在不干扰未选择的存储单元的同时写入至少一个所选择的存储单元的方法，所述存储单元的每一者包括二极管和可通过热激活可逆地从一种状态切换成另一状态的存储器材料，且每一者串联连接在字线与位线之间，所述方法包括：

控制未连接至所述至少一个所选择的存储单元的字线和位线上的电压；

控制连接至所述至少一个所选择的存储单元的字线和位线中一者上的电压；及

控制连接至所述至少一个所选择的存储单元的所述字线和位线中另一者上的电流，以使所述电流产生所述热激活。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述存储器材料包括相变材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中对连接至所述至少一个所选择的存储单元的所述字线和位线上的电流和电压进行控制，以使所述所选择的至少一个存储单元两端的压降大于未选择的存储单元两端上的压降。

4.如权利要求1所述的方法，其中未连接至所述至少一个所选择的存储单元的位线上的所述电压与连接至所述至少一个所选择的存储单元的字线上的电压，相差一小于所述二极管的阈值电压的量。

5.如权利要求1所述的方法，其中未连接至所述至少一个所选择的存储单元的字线上的所述电压与连接至所述至少一个所选择的存储单元的位线上的电压，相差一小于所述二极管的阈值电压的量。

6.如权利要求1所述的方法，其中：

对连接至所述至少一个所选择的存储单元的所述字线和位线中之一者上的电压进行控制包括对连接至所述所选择的存储单元的所述字线上的电压进行控制，及

对连接至所述至少一个所选择的存储单元的所述字线和位线中另一者上的电流进行控制包括对连接至所述至少一个所选择的存储单元的所述位线上的电流进行控制。

7.如权利要求6所述的方法，其中使连接至所述至少一个所选择的存储单元的所述字线上的所述电压变成施加至所述存储单元阵列上的最低电压，且将连接至所述至少一个所选择的存储单元的所述位线上的所述电流拉至由电流镜所选择的值。

8.如权利要求6所述的方法，其中使连接至所述至少一个所选择的存储单元的所述字线上的所述电压变成比未连接至所述至少一个所选择的存储单元的位线上的所述电压高的电压，且将连接至所述至少一个所选择的存储单元上的所述位线拉至由电流镜所选择的值。

9.如权利要求6所述的方法，其中所述电流是由电压源来提供，所述电压源具有比未连接至所述至少一个所选择的存储单元的所述字线上的所述电压高的电压。

10.如权利要求1所述的方法，其中对连接至所述所选择的存储单元的所述字线和位线中之一者上的电压进行控制包括对连接至所述所选择的存储单元的所述位线上的电压进行控制，且所述对连接至所述所选择的存储单元上的所述字线和位线中另一者上的电流进行控制包括对连接至所述至少一个所选择的存储单元的所述字线上的电流进行控制。

11.如权利要求1所述的方法，其中写入至少一个所选择的存储单元包括写入多个所选择的存储单元。

12.如权利要求11所述的方法，其中：

对连接至所述至少一个所选择的存储单元的字线和位线中之一者上的电压进行控制包括对所述字线上的电压进行控制，及

对连接至所述至少一个所选择的存储单元的所述字线和位线中另一者上的电流进行控制包括对连接至第一存储单元的第一位线上的电流进行控制和对连接至第二存储单元的第二位线上的电流进行控制。

13.如权利要求12所述的方法，其中

对连接至第一存储单元的第一位线上的电流进行控制包括将第一电流镜连接至所述第一存储单元，及

对连接至第二存储单元的第二位线上的电流进行控制包括将第二电流镜连接至所述第二存储单元。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一电流镜和第二电流镜使所述第一和第二存储单元中的所述相变材料呈不同的状态。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述第一电流镜提供比所述第二电流镜所提供的电流至少大50％的电流。