[发明专利]电荷补偿半导体器件及相关制造工艺有效
| 申请号： | 200680005986.5 | 申请日： | 2006-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101128938A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | M·G·萨吉奥;F·弗里西纳 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 在第一导电类型的半导体衬底上集成的包括多个基本元件的功率电子器件(30)，每个基本单元包括在所述半导体衬底(100)上形成的第一导电类型的半导体层(20)上实现的第二导电类型的体区域(40)，以及位于所述体区域(40)之下在所述半导体层(20)中实现的第一导电类型的柱区域(50)，其中所述半导体层(20)包括多个半导体层(21、22、23、24)，它们彼此叠置，每一层的电阻率不同于其他层的电阻率，且其中所述柱区域(50)包括多个掺杂的子区域(51、52、53、54)，每一个在所述半导体层(21、22、23、24)之一中实现，其中每个掺杂的子区域(51、52、53、54)的电荷量平衡所述半导体层(21、22、23、24)的电荷量。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 补偿 半导体器件 相关 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.在第一导电类型的半导体衬底上集成的功率电子器件(30)，包括多个基本单元，每个基本单元包括：-在所述半导体衬底(100)上形成的第一导电类型的半导体层(20)上实现的第二导电类型的体区域(40)，-位于所述体区域(40)之下的在所述半导体层(20)中实现的第二导电类型的柱区域(50)。所述器件(30)的特征在于，所述半导体层(20)包括彼此叠置的多个半导体层(21、22、23、24)，其中每个半导体层的电阻率不同于其它半导体层(21、22、23、24)的电阻率，且所述器件(30)特征在于，所述柱区域(50)包括多个掺杂的子区域(51、52、53、54)，每一个在所述半导体层(21、22、23、24)之一中实现，其中每个掺杂的子区域(51、52、53、54)的电荷量平衡在其中实现每个掺杂的子区域(51，52、53、54)的半导体层(21、22、23、24)的电荷量，所述子区域(51、52、53、54)的掺杂浓度朝向器件(30)的上表面向上增加，在所述上表面处形成所述体区域。
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