[发明专利]等离子体成膜装置无效

专利信息
申请号: 200680005498.4 申请日: 2006-12-04
公开(公告)号: CN101124349A 公开(公告)日: 2008-02-13
发明(设计)人: 丸中正雄;土屋贵之;寺仓厚广;武内清 申请(专利权)人: 新明和工业株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;H05H1/48
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 衷诚宣
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于,提供使片状等离子体上不发生角,以提高等离子体密度,改善溅射效率,又使片状等离子体上不发生角,从而能够安全运行的等离子体成膜装置。本发明的等离子体成膜装置具备:能够向所述输送方向放出等离子体的等离子体枪(1)、片状等离子体变形室(2)、使同极之间相对配置的磁场发生手段(9)的对、以及成膜室(3);具有在输送方向上在磁场发生手段(9)的对的上游侧设置的成型电磁线圈(6),磁场发生手段(9)的对以及成型电磁线圈(6)在通过输送中心(100)的成型电磁线圈(6)和磁场发生手段(9)的对的部分及其近旁,发生在输送方向上的磁通密度大致一定的磁场。
搜索关键词: 等离子体 装置
【主权项】:
1.一种等离子体成膜装置,其特征在于,具备能够利用放电形成相对于等离子体的输送方向的中心大致等密度分布的等离子体源,向所述输送方向放出所述等离子体的等离子体枪、具有在所述输送方向上延伸的输送空间的片状等离子体变形室、使同极之间相对,夹着所述被放出的等离子体源的输送中心配置的磁场发生手段对、具有与所述输送空间连通的成膜空间的成膜室;具有在所述输送方向上在所述磁场发生手段对上游侧贯通所述输送中心地设置的成型电磁线圈,所述磁场发生手段对以及所述成型电磁线圈在通过所述输送中心的所述成型电磁线圈和所述磁场发生手段对的部分及其近旁发生在所述输送方向上磁通密度大致一定的磁场。
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