[发明专利]等离子体成膜装置

权利要求书

1.一种等离子体成膜装置，其特征在于，

具备

能够利用放电形成相对于等离子体的输送方向的中心大致等密度分布的等离子体源，向所述输送方向放出所述等离子体的等离子体枪、

具有在所述输送方向上延伸的输送空间的片状等离子体变形室、

使同极之间相对，夹着所述被放出的等离子体源的输送中心配置的磁场发生手段对、

具有与所述输送空间连通的成膜空间的成膜室；

具有在所述输送方向上在所述磁场发生手段对上游侧贯通所述输送中心地设置的成型电磁线圈，

所述磁场发生手段对以及所述成型电磁线圈在通过所述输送中心的所述成型电磁线圈和所述磁场发生手段对的部分及其近旁发生在所述输送方向上磁通密度大致一定的磁场。

2.根据权利要求1所述的等离子体成膜装置，其特征在于，所述磁场发生手段对和所述成型电磁线圈靠近配置。

3.根据权利要求1所述的等离子体成膜装置，其特征在于，所述磁场发生手段对和所述成型电磁线圈在通过所述输送中心的所述成型电磁线圈和所述磁场发生手段对的部分及其近旁发生所述输送方向上的磁通密度为100～600G的磁场。