[发明专利]离子注入装置的控制方法、控制系统、控制程序及离子注入装置有效
| 申请号： | 200680005033.9 | 申请日： | 2006-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101120428A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 小方诚司;横尾秀和;荒木正真 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陆弋;宋志强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明以短时间内求出离子注入装置的工作条件为技术课题。本发明提供了一种离子注入装置的控制方法，所述离子注入装置将从离子源(12)引出的离子束通过光学元件照射到被处理材料(W)上，该方法包括：测定步骤，测定所述被处理材料(W)附近的离子束的空间分布；估计步骤，根据测定的所述空间分布，通过离子束的轨道计算方法估计发射度，所述发射度为所述离子源处离子束的空间分布和角分布；计算步骤，利用估计的所述发射度和所述轨道计算方法，计算使所述被处理材料附近的离子束呈现所期望的空间分布的所述光学元件的工作条件；运转步骤，采用计算出的所述光学元件的工作条件运转所述离子注入装置。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 控制 方法 控制系统 控制程序 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入装置的控制方法，所述离子注入装置将从离子源引出的离子束通过光学元件照射到被处理材料上，其特征在于，该方法包括：测定步骤，测定所述被处理材料附近的离子束的空间分布；估计步骤，根据测定的所述空间分布，通过离子束的轨道计算方法估计发射度，所述发射度为所述离子源处离子束的空间分布和角分布；计算步骤，利用估计的所述发射度和所述轨道计算方法，计算使所述被处理材料附近的离子束呈现所期望的空间分布的所述光学元件的工作条件；运转步骤，采用计算出的所述光学元件的工作条件运转所述离子注入装置。
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