[发明专利]离子注入装置的控制方法、控制系统、控制程序及离子注入装置

权利要求书

1、一种离子注入装置的控制方法，所述离子注入装置将从离子源引出的离子束通过光学元件照射到被处理材料上，其特征在于，该方法包括：

测定步骤，测定所述被处理材料附近的离子束的空间分布；

估计步骤，根据测定的所述空间分布，通过离子束的轨道计算方法估计发射度，所述发射度为所述离子源处离子束的空间分布和角分布；

计算步骤，利用估计的所述发射度和所述轨道计算方法，计算使所述被处理材料附近的离子束呈现所期望的空间分布的所述光学元件的工作条件；

运转步骤，采用计算出的所述光学元件的工作条件运转所述离子注入装置。

2、根据权利要求1所述的离子注入装置的控制方法，其特征在于，所述期望的空间分布为：使所述被处理材料附近的离子束的范围大致为最小的空间分布。

3、根据权利要求1所述的离子注入装置的控制方法，其特征在于，所述轨道计算方法为：利用卡普钦斯基-符拉基米尔斯基方程式的计算方法，该方程式将所述发射度假定为四维空间中的椭圆面。

4、根据权利要求1所述的离子注入装置的控制方法，其特征在于，所述轨道计算方法为：利用多重椭圆卡普钦斯基-符拉基米尔斯基方程式的计算方法，该方程式将所述发射度用四维空间中多个椭圆面的叠加来近似。

5、一种离子注入装置的控制系统，所述离子注入装置将从离子源引出的离子束通过光学元件照射到被处理材料上，其特征在于，该系统包括：

测定单元，用于测定所述被处理材料附近的离子束的空间分布；

发射度估计部，用于根据测定的所述空间分布，通过离子束的轨道计算方法估计发射度，所述发射度为所述离子源处离子束的空间分布和角分布；

工作条件计算部，用于利用估计的所述发射度和所述轨道计算方法，计算使所述被处理材料附近的离子束呈现所期望的空间分布的所述光学元件的工作条件；

工作控制部，用于采用计算出的所述光学元件的工作条件运转所述离子注入装置。

6、根据权利要求5所述的离子注入装置的控制系统，其特征在于，所述期望的空间分布为：使所述被处理材料附近的离子束的范围大致为最小的空间分布。

7、根据权利要求5所述的离子注入装置的控制系统，其特征在于，所述轨道计算方法为：利用卡普钦斯基-符拉基米尔斯基方程式的计算方法，该方程式将所述发射度假定为四维空间中的椭圆面。

8、根据权利要求5所述的离子注入装置的控制系统，其特征在于，所述轨道计算方法为：利用多重椭圆卡普钦斯基-符拉基米尔斯基方程式的计算方法，该方程式将所述发射度用四维空间中多个椭圆面的叠加来近似。

9、一种离子注入装置的控制程序，用于权利要求5～8中任意一项所述的离子注入装置的控制系统中能够使计算机起作用。

10、一种离子注入装置，其特征在于，该离子注入装置包含权利要求5～8中任意一项所述的离子注入装置的控制系统。