[发明专利]采用热喷涂生产基于硅与锆的靶的方法有效
| 申请号： | 200680004356.6 | 申请日： | 2006-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101115861A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | N·纳多德;D·比利尔斯 | 申请（专利权）人： | 法国圣戈班玻璃厂 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘维升;林森 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 采用热喷涂，特别地采用等离子体法生产靶的方法，所述的靶含有至少一种不同性质原子基的化合物，它们特别选自属于族(Xr、Mo、Ti、Nb、Ta、Hf、Cr)的组分M和硅，其特征在于注入至少一部分所述的化合物，它的这些组分在等离子体推进器中是由共价键和/或离子键和/或金属键连接的，所述的等离子体推进器将所述化合物的这些组分喷射到该靶上，以便达到在所述靶的一部分表面上沉积所述的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 喷涂 生产 基于 方法 | ||
【主权项】：
1.采用热喷涂，特别地采用等离子体法生产靶的方法，所述的靶含有至少一种基于不同性质原子的化合物，该原子特别选自属于族(Zr、Mo、Ti、Nb、Ta、Hf、Cr)的组分M和硅，其特征在于注入至少一部分所述的化合物，其中这些组分在等离子体推进器中是由共价键和/或离子键和/或金属键连接的，所述的等离子体推进器将所述化合物的这些组分喷射到该靶上，以便达到在所述靶的一部分表面上沉积所述化合物。
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