[发明专利]采用热喷涂生产基于硅与锆的靶的方法

权利要求书

1.采用热喷涂，特别地采用等离子体法生产靶的方法，所述的靶 含有至少一种基于不同性质原子的化合物，该原子特别选自属于族(Zr、 Mo、Ti、Nb、Ta、Hf、Cr)的组分M和硅，其特征在于注入至少一部分 所述的化合物，其中这些组分在等离子体推进器中是由共价键和/或离子 键和/或金属键连接的，所述的等离子体推进器将所述化合物的这些组分 喷射到该靶上，以便达到在所述靶的一部分表面上沉积所述化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于另一部分所述的化合 物以粉末混合物形式注入。

3.根据权利要求1或2中任一项权利要求所述的方法，其特征在 于根据它们的各自密度调节构成该混合物的每种粉末的粒度，以便它们 的各自平均质量应尽可能接近。

4.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的方法，其特征在于 在充满中性气氛的室中进行喷射化合物。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于在已真空净化的室中， 再充满中性气体直到压力可以达到50-1000毫巴，进行喷射化合物。

6.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的方法，其特征在于 在靶与等离子体之间进行相对移动。

7.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的方法，其特征在于 在沉积所述化合物之前进行靶表面处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于这种表面处理包括清 洗该靶的这部分表面。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于这种表面处理包括在 该靶的这部分表面沉积连接材料层。

10.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的方法，其特征在于 等离子体喷射所述化合物时，该靶的这部分表面进行热调节。

11.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的方法，其特征在于 注入至少一种所述金属M的硅化物。

12.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的方法，其特征在于 使用几个注入通道，其中根据每个通道中的注入材料，独立地调节注入 参数。

13.阴极溅射设备的靶，特别地磁场增强的阴极溅射设备的靶，所 述靶主要含有根据上述权利要求中任一项权利要求所述的方法得到的 硅，其特征在于它是Si_xAl_yM类组成，M是选自(Zr、Mo、Ti、Nb、Ta、 Hf、Cr)的金属。

14.根据权利要求13所述的靶，其特征在于该靶含有所述金属硅 化物类的化合物。

15.根据权利要求13或14中任一项权利要求所述的靶，其特征在 于它是平面或管状几何形状。

16.根据权利要求13-15中任一项权利要求所述的靶，其特征在于 它是基于用铜或铜合金制成的载体材料的。

17.根据权利要求16所述的靶，其特征在于该靶涂敷基于铜合金 的连接层。

18.根据权利要求13-15中任一项权利要求所述的靶，其特征在于 它是基于用不锈钢制成的载体材料的。

19.根据权利要求18所述的靶，其特征在于该靶涂敷基于镍合金 的连接层。

20.能够生产权利要求13-19中任一项权利要求所述靶的含有下面 限定的以质量百分数表示的组分的化合物的组合物，其特征在于它含 有：

-Al：2-20％

-Si：25-45％

-ZrSi₂：45-70％。

21.根据权利要求20所述的组合物，其特征在于它是由各自粒度 如下的粉末混合物得到的：

-ZrSi₂的粒度是15-50μm

-Si粒度是30-90μm

-Al粒度是45-75μm。