[发明专利]磁阻在无触点位置传感器上的应用和相应的传感器有效
| 申请号： | 200680004248.9 | 申请日： | 2006-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101115973A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | E·瑟弗尔 | 申请（专利权）人： | 西门子VDO汽车公司 |
| 主分类号： | G01D5/16 | 分类号： | G01D5/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹若 |
| 地址： | 法国赛*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 根据预定的应用，制造一导电体(1)，其具有承受一永磁体(11)的磁效应的磁感表面(10)，所述表面(10)的面积根据其相对于磁体的相对位置而变化，所述磁体和磁感表面之间的相对位置是变化的，这引起该导电体的至少一个物理性质的改变，同时记录所述导电体的物理性质的变化，这种变化和磁体(11)的位置有关。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 触点 位置 传感器 应用 相应 | ||
【主权项】：
1.在无触点位置传感器上磁阻的应用，其中：a)生产一导电体(1)，具有受一永磁体(11)的磁效应作用的磁感表面(10)，该表面的面积根据它相对于磁体的相对位置而改变；b)所述磁体和导电体磁感表面之间的相对位置是变化的，这引起该导电体的至少一个物理性质(R)的改变；和c)对在步骤b)中获得的所述导电体的物理性质的变化进行记录，这种变化和磁体(11)的位置关联。
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