[发明专利]磁阻在无触点位置传感器上的应用和相应的传感器有效
申请号: | 200680004248.9 | 申请日: | 2006-02-03 |
公开(公告)号: | CN101115973A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | E·瑟弗尔 | 申请(专利权)人: | 西门子VDO汽车公司 |
主分类号: | G01D5/16 | 分类号: | G01D5/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曹若 |
地址: | 法国赛*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁阻 触点 位置 传感器 应用 相应 | ||
1.在无触点位置传感器上磁阻的应用,其中:
a)生产一导电体(1),具有受一永磁体(11)的磁效应作用的磁 感表面(10),该表面的面积根据它相对于磁体的相对位置而改变;
b)所述磁体和导电体磁感表面之间的相对位置是变化的,这引起 该导电体的至少一个物理性质(R)的改变;和
c)对在步骤b)中获得的所述导电体的物理性质的变化进行记录, 这种变化和磁体(11)的位置关联。
2.如权利要求1所述的应用,其特征在于,在步骤b)和c)中, 变化和被记录的所述导电体的物理性质是该导电体的阻抗。
3.如权利要求1或权利要求2所述的应用,其特征在于,在步骤b) 中,导电体(1)受一AC电压作用,该电压在几千赫到至少大约一百兆 赫之间变化。
4.如上述任一权利要求所述的应用,其特征在于,在步骤a)中, 所述表面(10)的面积通过改变导电体(1)的横截面而改变。
5.如权利要求1至3中任一项所述的应用,其特征在于,在步骤a) 中,所述表面的面积通过改变受磁体磁效应作用的导电体(1)的密度 而改变。
6.如上述任一权利要求所述的应用,其特征在于:
-在步骤a)中,导电体缠绕为使得在外部周围具有区段(30a, 30b;31a,31b),它们大致沿一个螺旋(30,31)发展;
-在步骤b)中,彼此相对的磁体(11)和所述螺旋之间的相对转 动被施加。
7.一种位置传感器,包括:
-一传导轨道区(1,10),具有对磁体(11)的磁场敏感的表面、 物理性质和终端(1a,1b,1c);
-一永磁体(11),用来在磁感表面产生所述的磁场;
-一电源(3),产生穿过所述传导轨道区的终端的AC电压;
-位移装置(12),使磁体和磁感表面(1)之间的相对位置发生 变化;
-记录装置(9),记录由所述相对位置变化产生的传导轨道区的 至少一个物理性质的变化。
8.如权利要求7所述的位置传感器,其特征在于,所述记录装置 包括用来记录电阻(R)或所述传导轨道区电阻的变化的装置(9)。
9.如权利要求7或权利要求8所述的位置传感器,其特征在于, 导电体(1)包括顺磁材料或铁磁材料。
10.如权利要求7至9中任一项所述的位置传感器,其特征在于,
-磁体(11)相对于磁感表面沿位移方向(11a)移动;和
-传导轨道区(10),主要地或专有地具有不与磁体位移的方向 (11a)垂直的传导轨道部分(21,23,25,27)。
11.如权利要求7至10中任一项所述的位置传感器,其特征在于, 磁体(11)带有用来聚集磁场的磁极片(29a,29b)。
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