[发明专利]电容元件的制造方法、半导体装置的制造方法及半导体制造装置无效
| 申请号： | 200680004212.0 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101116183A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 松本贤治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/316;H01L21/8246;H01L27/04;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容元件的制造方法，其特征在于：(a)在基板上形成绝缘膜，(b)在上述绝缘膜上形成下部电极层，(c)包括：第一工序(c1)，在不供给氧化性气体的状态下，向上述下部电极层上供给一种或多种有机金属材料气体和气化的有机溶剂中的至少一方；和第二工序(c2)，向上述下部电极层上同时供给有机金属材料气体和氧化性气体，通过在同一腔室内连续进行上述第一工序(c1)和上述第二工序(c2)，在上述下部电极层上形成电介质层，(d)在上述电介质层上形成上部电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 元件 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电容元件的制造方法，其特征在于：(a)在被处理基板上形成绝缘膜，(b)在所述绝缘膜上形成下部电极层，(c)包括：第一工序(c1)，在不供给氧化性气体的状态下，向所述下部电极层上供给一种或多种有机金属材料气体和气化的有机溶剂中的至少一方；和第二工序(c2)，向所述下部电极层上同时供给有机金属材料气体和氧化性气体，通过在同一腔室内连续进行所述第一工序(c1)和所述第二工序(c2)，在所述下部电极层上形成电介质层，(d)在所述电介质层上形成上部电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
