[发明专利]电容元件的制造方法、半导体装置的制造方法及半导体制造装置

权利要求书

1.一种电容元件的制造方法，其特征在于：

(a)在被处理基板上形成绝缘膜，

(b)在所述绝缘膜上形成下部电极层，

(c)包括：第一工序(c1)，在不供给氧化性气体的状态下，向所述下部电极层上供给一种或多种有机金属材料气体和气化的有机溶剂中的至少一方；和第二工序(c2)，向所述下部电极层上同时供给有机金属材料气体和氧化性气体，通过在同一腔室内连续进行所述第一工序(c1)和所述第二工序(c2)，在所述下部电极层上形成电介质层，

(d)在所述电介质层上形成上部电极层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述第一工序(c1)中，供给一种或多种有机金属材料气体。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述第一工序(c1)中，供给气化的有机溶剂。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述第一工序(c1)中，供给气化的有机溶剂，并且供给有机金属材料气体的至少一种。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述第一工序(c1)中供给的有机金属材料气体与在所述第二工序(c2)中供给的有机金属材料气体为相同组成。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述工序(b)的下部电极层含有铂族元素。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：

所述铂族元素为Ir。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于：

所述铂族元素为Ru。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述工序(c)中形成的电介质为强电介质。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：

在所述工序(c)中形成的电介质为Pb(Zr，Ti)O₃。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述有机金属材料气体通过使有机金属材料溶液在气化器中气化而形成。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：

所述有机金属材料溶液通过使有机金属材料溶解在有机溶剂中而形成。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于：

所述有机溶剂为乙酸丁酯。

14.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：

(a)将被处理基板表面的一部分除去，形成元件分离膜，

(b)在元件区域的一部分中注入杂质，形成源极区域和漏极区域，

(c)在所述源极区域与所述漏极区域之间形成栅极绝缘膜，

(d)在所述栅极绝缘膜上形成栅电极，

(e)以覆盖所述元件分离膜和所述栅电极的方式形成层间绝缘膜，

(f)在所述层间绝缘膜中形成接触孔，

(g)以通过所述接触孔与所述源极区域和所述漏极区域中的至少一个导通的方式，在所述层间绝缘膜上形成第一金属层，

(h)包括：第一工序(h1)，在不供给氧化性气体的状态下，向所述第一金属层上供给一种或多种有机金属材料气体和气化的有机溶剂中的至少一方；和第二工序(h2)，向所述第一金属层上同时供给有机金属材料气体和氧化性气体，进行电介质成膜，通过在同一腔室内连续进行所述第一工序(h1)和所述第二工序(h2)，在所述第一金属层上形成电介质层，

(i)在所述电介质层上形成第二金属层。

15.一种半导体制造装置，其特征在于，包括：

具有用于支承基板的载置台，将基板的周围包围的腔室；

分别向所述腔室内供给一种或多种有机金属材料气体、氧化性气体和气化的有机溶剂的原料供给部；

对所述腔室内进行排气的排气部；和

控制部，对所述原料供给部进行控制，使得：在第一期间中，从所述原料供给部向所述腔室内供给一种或多种有机金属材料气体和气化的有机溶剂中的至少一方，而不向所述腔室内供给所述氧化性气体，接着，在第二期间中，从所述原料供给部向所述腔室内同时供给所述有机金属材料气体和所述氧化性气体，并且使所述第一期间的供给动作与所述第二期间的供给动作连续进行。