[发明专利]用于存储多数据的非易失电可变存储器单元及其制造方法无效
| 申请号： | 200680002312.X | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101512772A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 高任维 | 申请（专利权）人： | 纳诺斯塔公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一个存储器单元包括两个控制栅极，其侧向地布置在两个浮置栅极之间，每个浮置栅极能够保持数据。存储器单元通过在其上设置阱的半导体材料的衬底部上设置第一多晶硅来形成。控制栅极优选地通过金属镶嵌工艺形成，其中在形成两个浮置栅极之后将第一多晶硅去除，并在这两个浮置栅极之间设置第二多晶硅。随后在第二多晶硅上进行各向异性蚀刻以形成两个控制栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 多数 非易失电 可变 存储器 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失存储器装置，包括：第一沟槽隔离区域；第二沟槽隔离区域，其与第一沟槽隔离区域分离；控制栅极，其具有第一宽度；第一浮置栅极，其具有第二宽度；和第二浮置栅极，其具有第三宽度，其中控制栅极被放置在第一和第二浮置栅极之间，并且，控制栅极的第一宽度和第一和第二浮置栅极的第二和第三宽度被第一和第二沟槽隔离区域界定。
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