[发明专利]具有梯形位线之存储装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 200680002239.6 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101103465A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | A·梅利克-马尔季罗相;M·T·拉姆斯贝;M·W·伦道夫 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是提供一种存储装置(100)及制造方法。该存储装置(100)包括：半导体衬底(110)以及设置在该半导体衬底(110)之上的电荷捕捉介电叠层(116、118、120)。栅极电极(122)是设置在该电荷捕捉介电叠层(116、118、120)之上，该栅极电极(122)电性地界定出位于该半导体衬底(110)之部分(114)内的沟道(124)。该存储装置(100)包括有一对的位线(112)，该位线具有下部和大致为梯形的上部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 梯形 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置(100)，包含：半导体衬底(110)；设置于该半导体衬底(110)之上的电荷捕捉介电叠层(116、118、120)；设置于该电荷捕捉介电叠层(116、118、120)之上的栅极电极(122)，该栅极电极(122)电性地界定出位于该半导体衬底(110)的一部分(114)内的沟道(124)；以及一对位线(112)，该位线(112)具有下部和大致为梯形的上部。
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