[发明专利]氮化镓基半导体发光装置、光照明器、图像显示器、平面光源装置和液晶显示组件有效
| 申请号： | 200680001573.X | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101091262A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 琵琶刚志;奥山浩之 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种GaN基半导体发光装置，包括(A)具有n型导电性的第一GaN基化合物半导体层(13)；(B)具有包括阱层和介于阱层之间起分隔作用的势垒层的多量子阱结构的有源层(15)；和(C)具有p型导电性的第二GaN基化合物半导体层(17)。该阱层设置在该有源层中以满足关系d1＜d2，其中d1为有源层中第一GaN基化合物半导体层侧的阱层密度，而d2为第二GaN基化合物半导体层侧的阱层密度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 发光 装置 光照 明器 图像 显示器 平面 光源 液晶显示 组件 | ||
【主权项】：
1、一种GaN基半导体发光装置，包括：(A)具有n型导电性的第一GaN基化合物半导体层；(B)具有包括阱层和介于所述阱层之间进行分隔的势垒层的多量子阱结构的有源层；和(C)具有p型导电性的第二GaN基化合物半导体层；其中所述阱层设置在所述有源层中以满足关系d1＜d2，其中d1为在所述有源层中的第一GaN基化合物半导体层侧上的阱层密度，而d2为所述第二GaN基化合物半导体层侧上的阱层密度。
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