[发明专利]氮化镓基半导体发光装置、光照明器、图像显示器、平面光源装置和液晶显示组件

权利要求书

1、一种GaN基半导体发光装置，包括：

(A)具有n型导电性的第一GaN基化合物半导体层；

(B)具有包括阱层和介于所述阱层之间进行分隔的势垒层的多量子阱 结构的有源层；和

(C)具有p型导电性的第二GaN基化合物半导体层；

其中所述阱层设置在所述有源层中以满足关系d₁<d₂，其中d₁为在所述 有源层中的第一GaN基化合物半导体层侧上的阱层密度，而d₂为所述第二 GaN基化合物半导体层侧上的阱层密度。

2、根据权利要求1的GaN基半导体发光装置，其中满足下面的关系：

500nm≤λ₂≤550nm

0≤|λ₂-λ₃|≤5nm

其中λ₂是当工作电流密度为30A/cm²时所述有源层的发射波长，而λ₃是当工作电流密度为300A/cm²时所述有源层的发射波长。

3、根据权利要求1的GaN基半导体发光装置，其中满足下面的关系：

500nm≤λ₂≤550nm

0≤|λ₁-λ₂|≤10nm

0≤|λ₂-λ₃|≤5nm

其中λ₁是当工作电流密度为1A/cm²时所述有源层的发射波长，λ₂是 当工作电流密度为30A/cm²时所述有源层的发射波长，而λ₃是当工作电流 密度为300A/cm²时所述有源层的发射波长。

4、根据权利要求1的GaN基半导体发光装置，其中满足下面的关系：

430nm≤λ₂≤480nm

0≤|λ₂-λ₃|≤2nm

其中λ₂是当工作电流密度为30A/cm²时所述有源层的发射波长，而λ₃是当工作电流密度为300A/cm²时所述有源层的发射波长。

5、根据权利要求1的GaN基半导体发光装置，其中满足下面的关系：

430nm≤λ₂≤480nm

0≤|λ₁-λ₂|≤5nm

0≤|λ₂-λ₃|≤2nm

其中λ₁是当工作电流密度为1A/cm²时所述有源层的发射波长，λ₂是 当工作电流密度为30A/cm²时所述有源层的发射波长，而λ₃是当工作电流 密度为300A/cm²时所述有源层的发射波长。

6、根据权利要求1的GaN基半导体发光装置，其中当所述有源层的总 厚度是t₀时，在从所述第一GaN基化合物半导体层侧的界面到所述有源层 中的t₀/3厚度范围内的有源层第一区域中的阱层密度是d₁，而在从所述第二 GaN基化合物半导体层侧的界面到所述有源层中的2t₀/3厚度范围内的有源 层第二区域中的阱层密度是d₂，所述阱层设置在所述有源层中以满足关系 d₁<d₂。