[实用新型]适于覆盖半导体处理腔室的至少一部分内壁的上腔室衬垫

摘要

本实用新型的实施例提供一种适于刻蚀高纵横比部件的装置，如处理腔室。其它实施例包括用在处理腔室中的上腔室衬垫。在一个实施例中，上腔室衬垫包括圆柱主体，其具有在外表面中形成的凹口。狭槽设置在凹口中并穿过所述主体形成。圆柱主体包括上边缘和下边缘。法兰从主体上边缘径向向外延伸。

主权项

1.一种适于覆盖半导体处理腔室的至少一部分内壁的上腔室衬垫，该衬垫的特征是包括：圆柱主体，其具有上边缘和下边缘；法兰，其从所述主体的上边缘径向向外延伸；凹口，其在所述主体的外表面上形成；和狭槽，其设置在所述凹口中并穿过所述主体形成。