[实用新型]适于覆盖半导体处理腔室的至少一部分内壁的上腔室衬垫

权利要求书

1.一种适于覆盖半导体处理腔室的至少一部分内壁的上腔室衬垫，该衬垫的特征是包括：

圆柱主体，其具有上边缘和下边缘；

法兰，其从所述主体的上边缘径向向外延伸；

凹口，其在所述主体的外表面上形成；和

狭槽，其设置在所述凹口中并穿过所述主体形成。

2.根据权利要求1所述的衬垫，其特征是进一步包括：

唇状体，其从所述主体的内表面径向向内延伸。

3.根据权利要求2所述的衬垫，其特征是所述唇状体进一步包括：

具有形成在其中的O形圈凹槽的上表面。

4.根据权利要求1所述的衬垫，其特征是所述凹口进一步包括：

多个固定孔。

5.根据权利要求1所述的衬垫，其特征是所述主体的下边缘进一步包括：

啮合部件，其被配置成与第二衬垫配合。

6.根据权利要求5所述的衬垫，其特征是所述啮合部件进一步包括：

兔节。

7.根据权利要求1所述的衬垫，其特征是进一步包括：

穿过所述主体形成的孔。

8.根据权利要求7所述的衬垫，其特征是所述主体进一步包括：

所述孔置于其中的凹陷。

9.根据权利要求1所述的衬垫，其特征是所述主体进一步包括：

铝。

10.根据权利要求9所述的衬垫，其特征是所述衬垫涂覆有Y₂O₃。

11.根据权利要求1所述的衬垫，其特征是所述主体的内表面涂覆有Y₂O₃。

12.根据权利要求1所述的衬垫，其特征是所述主体是以下情况中至少之一：由钇或其氧化物制造或涂覆有钇或其氧化物。

13.根据权利要求5所述的衬垫，其特征是所述啮合部件进一步包括半个兔节。

14.根据权利要求1所述的衬垫，其特征是所述法兰是多角形的。

15.根据权利要求14所述的衬垫，其特征是所述多角形法兰进一步包括：

斜切的角度。

16.一种适于覆盖半导体处理腔室的至少一部分内壁的上腔室衬垫，所述衬垫的特征是包括：

圆柱主体，其具有上边缘和下边缘，其中所述主体是以下情况中的至少一种：由钇或钇氧化物制造或涂覆；

法兰，其从所述主体的上边缘径向向外延伸；

啮合部件，其在所述下边缘中形成并经配置与第二衬垫配合；

凹口，其在所述主体的外表面上形成；和

狭槽，其设置在所述凹口中并穿过所述主体形成。

17.根据权利要求16所述的衬垫，其特征是进一步包括：

唇状体，其从所述主体的内表面径向向内延伸并具有上表面，所述上表面具有形成在其中的O形圈凹槽。

18.根据权利要求16所述的衬垫，其特征是所述凹口进一步包括：

多个固定孔。

19.根据权利要求16所述的衬垫，其特征是所述法兰是多边形并包括：

斜切的角度。

20.一种适于覆盖半导体处理腔室的至少部分内壁的上腔室衬垫，所述衬垫的特征是包括：

圆柱形铝主体，其具有上边缘、下边缘、外壁和内壁；

钇或钇氧化物中的至少一种的涂层，其设置在所述主体的内壁上；

法兰，其从所述主体的上边缘径向向外延伸；

阶梯状的啮合部件，其在所述下边缘中形成，并经配置从而与第二衬垫匹配；

唇状体，其从所述主体的内表面径向向内延伸，并具有上表面，该上表面具有形成在其中的O形圈凹槽；

凹口，其在所述主体的外表面中形成，并具有多个固定孔；

凹陷，其在所述主体的外壁中形成；

孔，其设置在所述凹陷处并穿过所述主体形成；和

狭槽，其设置在所述凹口中并穿过所述主体形成。