[实用新型]半导体装置及电压夹止装置无效
申请号: | 200620122249.0 | 申请日: | 2006-07-06 |
公开(公告)号: | CN200990378Y | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 蒋秋志;黄志丰;伍佑国;林隆世 | 申请(专利权)人: | 崇贸科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L29/772 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型涉及半导体装置及电压夹止装置,其利用两个耗尽边界形成一夹止机制。电压夹止装置包含一输入端子、一输出端子和一控制端子,其特征是所述输入端子经由一准连接阱连接到所述输出端子,所述控制端子连接到具有互补于所述准连接阱的掺杂极性的一控制阱,在所述准连接阱下的一区具有互补于所述准连接阱的掺杂极性,其中所述准连接阱包括其相对位置随电压变化而变化的一第一耗尽边界和一第二耗尽边界,当所述第一耗尽边界和所述第二耗尽边界夹止时,所述控制端子处的一电压电势所控制的一最大输出电压电势会透过所述输出端子处输出。依据本实用新型的电压夹止装置可集成于半导体装置内,作为与传统变压器相比尺寸微型的降压装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 电压 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征是包括具有掺杂分布的阱,所述阱包括其相对位置随电压变化而变化的一第一耗尽边界和一第二耗尽边界,其中当所述第一耗尽边界和所述第二耗尽边界夹止时,由一电压电势所控制的一最大输出电压电势在所述半导体装置的一输出端子处输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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