[实用新型]半导体装置及电压夹止装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征是包括具有掺杂分布的阱，所述阱包括其相对位置随电压变化而变化的一第一耗尽边界和一第二耗尽边界，其中当所述第一耗尽边界和所述第二耗尽边界夹止时，由一电压电势所控制的一最大输出电压电势在所述半导体装置的一输出端子处输出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是所述阱包含与所述半导体装置的表面平行的一不连续离子掺杂区。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征是所述不连续离子掺杂区具有一宽度，所述宽度与最大输出电压电势相关。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是具有互补于所述阱的掺杂极性的一互补掺杂区，所述互补掺杂区与最大输出电压电势相关。

5.一种电压夹止装置，包含一输入端子、一输出端子和一控制端子，其特征是所述输入端子经由一准连接阱连接到所述输出端子，所述控制端子连接到具有互补于所述准连接阱的掺杂极性的一控制阱，在所述准连接阱下的一区具有互补于所述准连接阱的掺杂极性，其中所述准连接阱包括其相对位置随电压变化而变化的一第一耗尽边界和一第二耗尽边界，当所述第一耗尽边界和所述第二耗尽边界夹止时，所述控制端子处的一电压电势所控制的一最大输出电压电势会透过所述输出端子处输出。

6.根据权利要求5所述的电压夹止装置，其特征是所述控制阱的一掺杂浓度与所述最大输出电压电势相关。

7.根据权利要求5所述的电压夹止装置，其特征是所述准连接阱具有与所述控制阱平行的一不连续离子掺杂区。

8.根据权利要求7所述的电压夹止装置，其特征是所述不连续离子掺杂区的尺寸与所述最大输出电压电势相关。

9.根据权利要求5所述的电压夹止装置，其特征是具有互补于所述准连接阱的掺杂极性的一边缘阱将所述准连接阱围起，其中所述边缘阱与所述准连接阱彼此未直接连接。

10.根据权利要求5所述的电压夹止装置，其特征是所述控制阱的掺杂浓度范围是从3.3×10¹⁷/cm³到1×10¹⁹/cm³。

11.根据权利要求5所述的电压夹止装置，其特征是所述准连接阱的掺杂浓度范围是从1.7×10¹⁷/cm³到8.3×10¹⁸/cm³。

12.根据权利要求5所述的电压夹止装置，其特征是所述准连接阱的深度范围是从2μm到10μm。

13.根据权利要求5所述的电压夹止装置，其特征是所述控制阱的深度范围是从1μm到5μm。

14.根据权利要求7所述的电压夹止装置，其特征是平行于所述控制阱的所述不连续离子掺杂区的宽度范围是介于0μm到20μm之间。

15.根据权利要求9所述的电压夹止装置，其特征是所述边缘阱的掺杂浓度范围是从3.3×10¹⁷/cm³到1×10¹⁹/cm³。

16.根据权利要求9所述的电压夹止装置，其特征是所述边缘阱的深度范围是从1μm到5μm。