[实用新型]功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 200620094431.X | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN200976352Y | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 吕新立;杨春松 | 申请（专利权）人： | 大连华坤科技有限公司;大连宇宙电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 116400辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管，包括由隔离层、复合半导体材料层及氧化扩散层组成的边界区域及带有阻障层的雪崩耐能单元；其第一段复合半导体材料层左端结构不与氧化扩散层左端取齐，且在复合半导体材料层和氧化扩散层邻近区域的共同末端加设包敷隔离层；还在氧化扩散层水平面上加设底隔离层；在包敷隔离层与底隔离层之间，以及包敷隔离层与隔离层之间通过金属材料开设接触窗口，构成强化型边界区域结构；所述接触窗口与源极相连接。所述雪崩耐能单元结构中阻障层整体呈长方形，其长边水平向设置在N+通道之间，阻障层长的一边的长度大于N+通道宽度。采用本实用新型能提升崩溃电压，并提高雪崩耐能能力。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 分离 器件 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管，包括由隔离层(1-1)、复合半导体材料层(2)及氧化扩散层(3)组成的边界区域及带有阻障层的雪崩耐能单元，其隔离层(1-1)与氧化扩散层(3)之间设复合半导体材料层(2)，复合半导体材料层(2)分为两段，第二段复合半导体材料层右端与隔离层(1-1)及氧化扩散层(3)的右端取齐；氧化扩散层(3)左端与活化区(4)相邻接；其特征在于：第一段复合半导体材料层(2)左端结构不与氧化扩散层(3)左端取齐，且在复合半导体材料层(2)和氧化扩散层(3)邻近区域的共同末端加设包敷隔离层(1-2)；还在氧化扩散层(3)水平面上加设底隔离层(1-3)；在包敷隔离层(1-2)与底隔离层(1-3)之间，以及包敷隔离层(1-2)与隔离层(1-1)之间通过金属材料开设接触窗口(5)，构成强化型边界区域结构；所述接触窗口(5)与源极相连接。
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