[实用新型]高功率高亮度半导体激光器无效
| 申请号： | 200620045616.1 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN200944496Y | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 辛国锋;瞿荣辉;程灿;皮浩洋;陈高庭;方祖捷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/024;H01S5/022 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高功率高亮度半导体激光器，其特征在于至少包括一个基本封装单元：两个基本特性相同的半导体激光器管芯的P面均相对朝向并焊接在一微通道热沉上，该两半导体激光器管芯的P面由半导体激光器的正极引出，管芯的N面由半导体激光器的负极引出，所述的半导体激光器的正极、负极引出与微通道热沉之间由绝缘片分开。本实用新型的优点是：可以将输出功率和输出功率密度提高近两倍，还可以降低工作电压，提高器件的工作稳定性和工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 亮度 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1、一种高功率高亮度半导体激光器，其特征在于至少包括一个基本封装单元：两个基本特性相同的半导体激光器管芯的P面均相对朝向并焊接在一微通道热沉上，该两半导体激光器管芯的P面由半导体激光器的正极引出，管芯的N面由半导体激光器的负极引出，所述的半导体激光器的正极、负极引出与微通道热沉之间由绝缘片分开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所，未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200620045616.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：转轴结构
- 下一篇：一种电机与磁编码器的安装结构
