[实用新型]一种具有低功耗或数字信号输出性能的新型敏感元件无效
| 申请号： | 200620021316.X | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN200972869Y | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 孙英达;付云鹏 | 申请（专利权）人： | 孙英达;付云鹏 |
| 主分类号： | H01L47/00 | 分类号： | H01L47/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150090黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种具有低功耗或数字信号输出性能的新型敏感元件属于具有低功耗和数字量输出性能的传感技术领域。它克服了传统敏感元件只能输出低幅值模拟信号的不足，为新一代低功耗和数字传感器的研制创造了条件。本实用新型基于半导体特殊的负阻效应，其结构由N型区、P型区、上电极和下电极四层结构构成，其特征是：N型区(1)由掺磷的N型高阻硅单晶作为衬底，P型区(2)以铝和硼作掺杂源经扩散而形成，并从N面扩散金或铂，且扩透整个P型区(2)，上电极(3)和下电极(4)可采用镍、铝，或金用以形成欧姆接触。该半导体敏感元件，体积小，功耗低，动态响应快。由它构成的数字传感器可广泛应用于多种物理参数的报警与检测、控制领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 功耗 数字信号 输出 性能 新型 敏感 元件 | ||
【主权项】：
1.一种具有低功耗或数字信号输出性能的新型敏感元件，其结构由N型区、P型区、上电极和下电极四层结构构成，其特征是：N型区(1)由掺磷的N型高阻硅单晶作为衬底，P型区(2)以铝和硼作掺杂源经扩散而形成，并从N面扩散金或铂，且扩透整个P型区(2)，上电极(3)和下电极(4)可采用镍、铝，或金用以形成欧姆接触。
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