[发明专利]测量金属氧化物半导体组件的本征电容的方法有效
| 申请号： | 200610170095.7 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101206243A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张耀文;张馨文;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/26;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吕晓章;李晓舒 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种测量金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor，MOS)组件的本征电容的方法。MOS组件包括第一端、第二端、第三端以及第四端，且第一端耦接至电容测量电路。首先，提供第一输入信号至第二端，并将第三端及第四端接地。接着，利用电容测量电路将第一端充电至一操作电压，并测量充电至操作电压所需的第一电流大小。然后，提供第二输入信号至第二端，并将第三端及第四端接地，同样测量第一端充电至操作电压所需的第二电流大小，且第一输入信号及第二输入信号具有相同的低电平以及不同的高电平。最后，根据第一电流大小、第二电流大小以及第一输入信号与第二输入信号的高电平的差值，以决定对应于第一端及第二端之间的本征电容。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 金属 氧化物 半导体 组件 电容 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量金属氧化物半导体组件的本征电容的方法，该金属氧化物半导体组件包括一第一端、一第二端、一第三端以及一第四端，且该第一端耦接至一电荷型电容测量电路，该方法包括：(a)提供一第一输入信号至该第二端，并将该第三端及该第四端接地；(b)利用该电容测量电路将该第一端充电至一操作电压，并测量充电至该操作电压所需的一第一电流大小；(c)提供一第二输入信号至该第二端，并将该第三端及该第四端接地，同样测量该第一端充电至该操作电压所需的一第二电流大小，且该第一输入信号及该第二输入信号具有相同的低电平以及不同的高电平；以及(d)根据该第一电流大小、该第二电流大小以及该第一输入信号与该第二输入信号的高电平的差值，以决定对应于该第一端及该第二端之间的本征电容。
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