[发明专利]测量金属氧化物半导体组件的本征电容的方法

权利要求书

1.一种测量金属氧化物半导体组件的本征电容的方法，该金属氧化物半导体组件包括一第一端、一第二端、一第三端以及一第四端，且该第一端耦接至一电荷型电容测量电路，该方法包括：

(a)提供一第一输入信号至该第二端，并将该第三端及该第四端接地；

(b)利用该电容测量电路将该第一端充电至一操作电压，并测量充电至该操作电压所需的一第一电流大小；

(c)提供一第二输入信号至该第二端，并将该第三端及该第四端接地，同样测量该第一端充电至该操作电压所需的一第二电流大小，且该第一输入信号及该第二输入信号具有相同的低电平以及不同的高电平；以及

(d)根据该第一电流大小、该第二电流大小以及该第一输入信号与该第二输入信号的高电平的差值，以决定对应于该第一端及该第二端之间的本征电容。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该金属氧化物半导体组件为一金属氧化物半导体晶体管，该第一端至该第四端分别为该金属氧化物半导体晶体管的一栅极、一漏极、一源极以及一基座。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该电荷型电容测量电路包括一P型金属氧化物半导体晶体管及一N型金属氧化物半导体晶体管，且该P型金属氧化物半导体晶体管的一源极耦接至该操作电压，该P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极、该N型金属氧化物半导体晶体管的一漏极与该第一端相互耦接，该N型金属氧化物半导体晶体管的一源极接地，该步骤(a)包括：

分别提供一第一控制信号及一第二控制信号至该P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极及该N型金属氧化物半导体晶体管的一栅极，以交替使能该P型金属氧化物半导体晶体管及该N型金属氧化物半导体晶体管，且该第一控制信号及该第二控制信号具有相同的频率。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该第一控制信号、该第一输入信号及该第二输入信号具有相同的频率，该第一控制信号及该第二控制信号具有相同的高电平，该第一控制信号、该第一输入信号及该第二输入信号的低电平为0，且该P型金属氧化物半导体晶体管为使能时，该第一输入信号及该第二输入信号是高电平，该N型金属氧化物半导体晶体管为使能时，该第一输入信号及该第二输入信号是低电平。

5.如权利要求4所述的方法，其中，该第一控制信号具有频率f，且该第一电流大小是I1，该第二电流大小是I2，该第二输入信号与该第一输入信号的高电平差值是ΔV，在该步骤(d)中，对应于该第一端及该第二端之间的本征电容是(I1-I2)/(f×ΔV)。

6.一种测量金属氧化物半导体组件的本征电容的方法，该金属氧化物半导体组件包括一第一端、一第二端、一第三端以及一第四端，且该第一端耦接至一电荷型电容测量电路，该方法包括：

(a)提供一第一输入信号至该第二端，并将该第三端及该第四端接地；

(b)利用该电容测量电路将该第一端充电至一操作电压，并测量充电至该操作电压所需的一第一电流大小；

(c)提供一第二输入信号至该第二端，并耦接该第三端及该第四端至一第一电压，同样测量该第一端充电至该操作电压所需的一第二电流大小，且该第一输入信号及该第二输入信号具有相同的低电平以及不同的高电平，该第一输入信号与该第二输入信号的高电平的差值等于该第一电压的大小；以及

(d)根据该第一电流大小、该第二电流大小以及该第一电压的大小，以决定对应该第一端的本征电容。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该金属氧化物半导体组件为一金属氧化物半导体晶体管，该第一端至该第四端分别为该金属氧化物半导体晶体管的一栅极、一源极、一漏极以及一基座。

8.如权利要求6所述的方法，其中，该电荷型电容测量电路包括一P型金属氧化物半导体晶体管及一N型金属氧化物半导体晶体管，且该P型金属氧化物半导体晶体管的一源极耦接至该操作电压，该P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极、该N型金属氧化物半导体晶体管的一漏极与该第一端相互耦接，该N型金属氧化物半导体晶体管的一源极接地，该步骤(a)包括：

分别提供一第一控制信号及一第二控制信号至该P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极及该N型金属氧化物半导体晶体管的一栅极，以交替使能该P型金属氧化物半导体晶体管及该N型金属氧化物半导体晶体管，且该第一控制信号及该第二控制信号具有相同的频率。