[发明专利]利用磁畴壁移动的半导体器件有效
| 申请号： | 200610168680.3 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101114693A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 林志庆;金庸洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/14;G11C19/02;H01F10/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用磁畴壁移动的半导体器件。该半导体器件包括具有多个磁畴的磁线，其中该磁线包括通过脉冲场和脉冲电流之一被移动的磁畴壁。该半导体器件的磁线不需要额外的切口，因为该磁线包括磁畴壁，其移动距离通过脉冲场或脉冲电流来控制。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁畴壁 移动 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括具有多个磁畴的磁线，其中该磁线包括通过脉冲场和脉冲电流之一被移动的磁畴壁且是无切口磁线。
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